三星计划在1nm制程节点商用High NA EUV

三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队的 박창민（Park Chang Min）11日在首尔举行的 NGL 2026 学术会议上表示，三星计划在 1nm 级工艺制程节点实现 High NA EUV 设备的商业化应用。

他指出，针对 2nm 的 SF2 和 1.4nm 的 SF1.4 两个近期节点，High NA EUV 光刻图案化技术目前仍不成熟；但到 1nm 级时，更高的图案化分辨率将成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。

考虑到三星晶圆代工此前将 2029 年设定为 SF1.4 的量产时点，并计划在 2030 年推出改进型 SF1.4+，其 1nm 节点最快也要到 2030 年才会推出。박창민还表示，在 1.4nm 及 1nm 工艺阶段，基于 0.33 NA（Low NA）EUV 的光刻多重曝光技术将成为主流，之后的新一代工艺则将以 High NA 光刻技术为主。