TrendForce：2027年DRAM供给持续紧缺，NAND转趋宽松

TrendForce（集邦）7 月 30 日发布预测称，明年 DRAM 内存市场将维持供给紧张格局，价格走势偏强；而 NAND 闪存供给将在 2027H2 趋向宽松，价格可能面临修正压力。

TrendForce 指出，DRAM 和 NAND 走势分化的关键，在于两者按容量计的新产能上线进度不同：多数 DRAM 新厂投片放量落于 2027 年下半年，显著产出贡献则会在 2028 年发酵；NAND 端则会看到各大厂加速升级至高层数产品与新厂产能逐步释放。

此外，由于 HBM 制造流程所需的晶圆投入远高于一般 DRAM，新增内存投片量无法等比例转换为有效容量产出，DRAM 领域的容量缺口将从今年的 1~2% 进一步扩大。

TrendForce 还提到，内存成本过高可能反作用于云服务供应商资本支出规划，代理式 AI 普及取得突破式进展而再度拉动高速固态硬盘需求等情况，也可能出现。

参考：TrendForce 集邦咨询: 2027 年存储器市场走势分化，DRAM 供给持续紧缺、NAND Flash 转趋宽松