铠侠开始送样第9代BiCS FLASH 3D闪存1Tb TLC，采用230层阵列
2026年07月30日 17:07
职场人导航7月30日消息，铠侠当地时间今日宣布，已开始出货采用第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb三层单元（TLC）存储器件样品。该样品采用230层存储阵列，NAND堆栈与BiCS8相近，并使用与BiCS10相同的CMOS技术，NAND接口速率达4.8 Gb/s。铠侠称，第九代BiCS FLASH面向中低容量、高性能且高能效应用，第十代BiCS FLASH将提升至332层，满足未来大容量、高性能需求。
铠侠当地时间7月30日宣布，已开始出货采用第九代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 1Tb 三层单元（TLC）存储器件样品。
与此前出样的 BiCS9 512Gb TLC 不同，这次样品采用 230 层存储阵列，意味着其在 NAND 堆栈上与 BiCS8 相近。BiCS9 1Tb TLC 还采用了与 BiCS10 相同的 CMOS 技术，NAND 接口速率达到 4.8 Gb/s。
铠侠表示，第九代 BiCS FLASH 旨在支持对中低容量存储有高性能和卓越能效要求的应用；而提升至 332 层的第十代 BiCS FLASH 产品，则可满足未来对大容量、高性能解决方案的需求。
