三星电子称LTA合同可占DRAM和NAND产量60%至70%

三星电子官方人士在今日的 2026Q2 财报电话会议上表示，一旦敲定当前待审合同，所有长期协议（LTA）将可轻松占据其 DRAM / NAND 产出容量的 60~70%。

随着越来越多客户选择与三星电子签署 LTA，这家存储半导体巨头已与全球五大数据中心客户敲定协议，也正与另外五个主要客户洽谈。三星电子的 5 年期 LTA 还包含每年可协商续期 1 年的条款，实际上形成滚动式合同结构。

三星电子 2026Q2 的 DRAM 容量产出环比增长十几个百分点，ASP（平均售价）环比上涨 40% 中段；NAND 产出增长个位数百分点，ASP 上涨超 60%。该公司预计 2026Q3 的 DRAM 与 NAND 容量产出将分别环比增长中个位数百分比和高个位数百分比。

三星电子认为，存储芯片新增供应量到 2028 年仍不会出现显著增长，同时 2026 年内未被满足的需求也将堆积到 2027 年，这使其判断明年的供需缺口会进一步扩大，供应限制将更加严峻。

此外，服务器固态硬盘今年将占据三星电子整体 NAND 销售组合的 60%，较 2025 年提升超 20 个百分点。基于键合工艺和三堆栈结构的第 10 代 V-NAND 计划于 8 月量产。